판매가 | : | 1,650,000원 |
상품평가 | : | (0명) |
원산지 | : | 일본산 |
Dia | : | 4inch |
타입/Dopant | : | N타입(Phous) |
방향 | : | <100> |
Res | : | 0.01-0.02ohm.cm |
두께 | : | 500-550um |
표면처리 | : | 단면Polished |
Grade | : | Prime |
Delivery | : | 협의 |
Dry Oxide박막추가 | : | 막없는베어상태1000A (+330,000)1500A (+343,750)2000A (+363,000)3000A (+467,500) |
Wet Oxide박막추가 | : | 막는베어상태2000A (+233,750)3000A (+233,750)5000A (+272,250)7000A (+332,750)1um (+426,250)1.2um (+492,250)1.5um (+550,000)2um (+723,250)2.7um (+1,100,000) |
Si3N4 by LPCVD | : | 막없는베어상태1000A (+467,500)2000A (+550,000)3000A (+632,500)5000A (+770,000)7000A (+921,250)1um (+1,100,000)1.2um (+1,210,000)1.5um (+1,430,000)2um (+1,815,000) |
Al-1%Si by Sputtering | : | 막없이베어상태로1000A (+550,000)2000A (+660,000)3000A (+825,000)5000A (+962,500)7000A (+1,100,000)1um (+1,237,500)1.2um (+1,430,000)1.5um (+1,787,500)2um |
Ti/Cu by Sputtering | : | 막없이베어상태로1000A (+1,100,000)2000A (+1,155,000)3000A (+1,182,500)5000A (+1,265,000)7000A (+1,375,000)1um (+1,815,000) |
Ti / W by Sputtering | : | 막없이베어상태로1000A (+1,375,000)2000A (+1,430,000)3000A (+1,512,500)5000A (+1,540,000)7000A (+1,650,000)1um (+1,842,500) |
수 량 | : |
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4인치 저저항으로 주문 생산입니다.
가격은 부가세 포함 가격입니다.
저저항 웨이퍼의경우 Thermal Oxidation이나 LPECV공정에서는 표면 박막의 회오리 모양의 표시가 있을 수도 있습니다. 이는 절연 역활에는 이상이 없으나, 박막 거칠기에 영향을 줄 수 있습니다.
저저항의 경우 도핑농도가 높아서 생기는 현상입니다.
공정이 추가되면 납기는 5-7일입니다.
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