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Device Layer


Dia :150mm

Type/Dopant : P/Boron

Resistivit :1-30ohm.cm

Orientation : <100>

Thickness : 50um


Buried Oxide Layer


SiO2 Thickness : 1um


Handle Layer


Dia :150mm

Type/Dopant : P/Boron

Resistivit :1-30ohm.cm

Orientation : <100>

Thickness : 675um

Single Side Polished


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