Device Layer
Dia :150mm
Type/Dopant : N/Phous
Resistivit : 3.2-5.4ohm.cm
Orientation : <100>
Thickness : 1.5-2.5um
Buried Oxide Layer
SiO2 Thickness : 1um
Handle Layer
Dia :150mm
Type/Dopant : P/Boron
Resistivit :12-18ohm.cm
Orientation : <100>
Thickness : 610-640um
Backside Etched or Polished with oxide
가격은 부가세 포함 가격입니다.
쇼핑몰에 없는 SOI 웨이퍼 스펙은 별도 문의 부탁드립니다. 그리고, 미국 측 주문확인시 재고 소진으로 없을 수도 있습니다.
납기는 5-6주입니다. 업무에 참조하시길 바랍니다.
10장 패킹되어있습니다.
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반품 / 교환 / 환불이 발생하여 진심으로 사과드립니다. 좀 더 나은 서비스를 위해 최선을 다하겠습니다.