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원산지 : 우크라이나
Dia:4inch
타입/Dopant: N타입(Phous)
방향:<100>
Res:0.1-0.5ohm.cm
두께: 500um
표면처리:단면Polished
Grade:Prime
Delivery:10일
Dry Oxide박막추가:
막없는베어상태1000A (+330,000)1500A (+343,750)2000A (+363,000)3000A (+467,500)
Wet Oxide박막추가:
막없는베어상태2000A (+233,750)3000A (+233,750)5000A (+272,250)7000A (+332,750)1um (+426,250)1.2um (+492,250)1.5um (+550,000)2um (+723,250)2.7um (+1,100,000)
Si3N4 by LPCVD:
막없는베어상태1000A (+467,500)2000A (+550,000)3000A (+632,500)5000A (+770,000)7000A (+921,250)1um (+1,100,000)1.2um (+1,210,000)1.5um (+1,430,000)2um (+1,815,000)
Al-1%Si by Sputtering:
막없이베어상태로1000A (+550,000)2000A (+660,000)3000A (+825,000)5000A (+962,500)7000A (+1,100,000)1um (+1,237,500)1.2um (+1,430,000)1.5um (+1,787,500)2um
Ti/Cu by Sputtering:
막없이베어상태로1000A (+1,100,000)2000A (+1,155,000)3000A (+1,182,500)5000A (+1,265,000)7000A (+1,375,000)1um (+1,815,000)
Ti / W by Sputtering:
막없이베어상태로1000A (+1,375,000)2000A (+1,430,000)3000A (+1,512,500)5000A (+1,540,000)7000A (+1,650,000)1um (+1,842,500)
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 25장 가격으로 부가세 포함가격입니다.


우크라이나 제품으로 가격은 저혐 하지만, 아직은 품질은 조금 떨어지는 편입니다. 2flat제품입니다.


저저항의 경우 LPCVD, Thermal Oxidation과 같은 고온 공정에서는 웨이퍼 표면 박막의 회오리 모양의 띠가 생길 수도 있습니다. 이는 저저항 웨이퍼의


높은 도핑 농도로 인해 생기는 것으로 절연 역활에는 이상이 없으나,


표면 거칠기에는 지장을 줄 수 있습니다,. 업무에 참조하시길 바랍니다.


공정 추가시 납기는 5-7일입니다.

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