SOI 웨이퍼 재고 관련

현재 4인치의 경우 아래와 같이 재고가 있습니다.

필요하신 경우 연락 부탁드립니다.

더 많은 재고에 대한 스펙은 첨부 파일을 보시면 됩니다.

감사합니다.

#1. 4inch SOI wafer
Device layer
Diameter : 100±0.5mm
Type : N
Orientation : <100>
Resistivity : 20-40 ohm.cm
Thickness : 5 um
Buried Oxide Layer
SiO2 Thickness : 1um ±5%
Handle layer
Resistivity : 1-10ohm.cm
Type : N
Orientation : <100>
Thickness : 525±25um
Surface Finish : SSP
MOQ : 10pcs
Lead time : around 2-3 weeks ARO

#2. 4inch SOI wafer
Device layer
Diameter : 100±0.5mm
Type : N
Orientation : <100>
Resistivity : 6-8 ohm.cm
Thickness : 5 um
Buried Oxide Layer
SiO2 Thickness : 1um ±5%
Handle layer
Resistivity : 10-20ohm.cm
Type : N
Orientation : <100>
Thickness : 525±25um
Surface Finish : SSP
MOQ : 4pcs
Lead time : around 2-3 weeks ARO

SOI웨이퍼, 쏘이 웨이퍼