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Dia:4inch
타입: N타입(Phous)
방향:<100>
Res:0.001-0.003ohm.cm
두께: 500-550um
표면처리:단면Polished
Grade:Prime
Delivery:2일
Dry Oxide박막추가:
막없는베어상태1000A (+330,000)1500A (+343,750)2000A (+363,000)3000A (+467,500)
Wet Oxide박막추가:
막는베어상태2000A (+233,750)3000A (+233,750)5000A (+272,250)7000A (+332,750)1um (+426,250)1.2um (+492,250)1.5um (+550,000)2um (+723,250)2.7um (+1,100,000)
Si3N4 by LPCVD:
막없는베어상태1000A (+467,500)2000A (+550,000)3000A (+632,500)5000A (+770,000)7000A (+921,250)1um (+1,100,000)1.2um (+1,210,000)1.5um (+1,430,000)2um (+1,815,000)
Al-1%Si by Sputtering:
막없이베어상태로1000A (+550,000)2000A (+660,000)3000A (+825,000)5000A (+962,500)7000A (+1,100,000)1um (+1,237,500)1.2um (+1,430,000)1.5um (+1,787,500)2um
Ti/Cu by Sputtering:
막없이베어상태로1000A (+1,100,000)2000A (+1,155,000)3000A (+1,182,500)5000A (+1,265,000)7000A (+1,375,000)1um (+1,815,000)
Ti / W by Sputtering:
막없이베어상태로1000A (+1,375,000)2000A (+1,430,000)3000A (+1,512,500)5000A (+1,540,000)7000A (+1,650,000)1um (+1,842,500)
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 위 상품은 부가세 포함가격이며, 저젛항 유럽산 웨이퍼입니다. 저저항 웨이퍼의 경우 Thermal Oxidation이나 LPCVD 공정시


 표면 박막이 회오리 모양 띠가 생길 수도 있고, 없을 수도 있습니다. 이는 박막 자체 특성은 가지고 있으나, 표면 두께 편차가 있을 수


 있음을 뜻합니다. 25장 패킹되어 있으며, 1캐리어 가격입니다.

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