4인치 SiO2 30nm Thermal Oxidation wafers

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QRCODE
판매가:2,750,000
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Dia:4inch
Type/Dopant:P/Boron
Thickness:500-550um
Orientation:<100>
Resistivity:<0.005ohm.cm
Surface Finished:Single Side Polished
Grade:Prime
SiO230nm by Dry Thermal Oxidation Process:
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옥사이드 300A 초 박막 실리콘 저저항 웨이퍼이며, 납기는 3주이내입니다.


부가세 포함 금액입니다.

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