판매가 | : | 962,500원 |
상품평가 | : | (0명) |
원산지 | : | 대만산 |
Dia | : | 4inch |
Type/Dopant | : | N/P(Phosphorus) |
Resistivity | : | 0.001-0.003ohm.cm |
Orientation | : | <100> |
Thickness | : | 500-550um |
표면상태 | : | 단면Polished |
Grade | : | Prime |
Delivery | : | 2일 |
Dry Oxide박막추가 | : | 막없는베어상태1000A (+330,000)1500A (+343,750)2000A (+363,000)3000A (+467,500) |
Wet Oxide박막추가 | : | 막없는베어상태2000A (+233,750)3000A (+233,750)5000A (+272,250)7000A (+332,750)1um (+426,250)1.2um (+492,250)1.5um (+550,000)2um (+723,250)2.7um (+1,100,000) |
Si3N4 by LPCVD | : | 막없는베어상태1000A (+467,500)2000A (+550,000)3000A (+632,500)5000A (+770,000)7000A (+921,250)1um (+1,100,000)1.2um (+1,210,000)1.5um (+1,430,000)2um (+1,815,000) |
Al-1%Si by Sputtering | : | 막없이베어상태로1000A (+550,000)2000A (+660,000)3000A (+825,000)5000A (+962,500)7000A (+1,100,000)1um (+1,237,500)1.2um (+1,430,000)1.5um (+1,787,500)2um |
Ti/Cu by Sputtering | : | 막없이베어상태로1000A (+1,100,000)2000A (+1,155,000)3000A (+1,182,500)5000A (+1,265,000)7000A (+1,375,000)1um (+1,815,000) |
Ti / W by Sputtering | : | 막없이베어상태로1000A (+1,375,000)2000A (+1,430,000)3000A (+1,512,500)5000A (+1,540,000)7000A (+1,650,000)1um (+1,842,500) |
수 량 | : |
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대만제품으로, 부가세 포함 가격입니다.
저저항의 경우 LPCVD, Thermal Oxidation과 같은 고온 공정에서는 웨이퍼 표면 박막의 회오리 모양의 띠가 생길 수도 있습니다. 이는 저저항 웨이퍼의
높은 도핑 농도로 인해 생기는 것으로 절연 역활에는 이상이 없으나,
표면 거칠기에는 지장을 줄 수 있습니다,. 업무에 참조하시길 바랍니다.
공정 추가시 납기는 5-7일입니다.
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