1. SiO2 와 Si3N4
Deposition by LPCVD or PECVD (1,000A~
2. 증착 가능한 기판 : PECVD ( Silicon
wafers ,Glass wafers,Quartz wafers등 모든 기판)
LPCVD ( 4” , 6”
Si wafers)
3. 4” & 6” 가능하며 LPCVD의 경우 25장 단위로 공정 가능
PECVD는 Min 4장
4. Uniformity : 5%이내
5. LPCVD로
Si3N4 Low Stress 작업 가능 일반 1,000-2,000Mpa 이지만 Low Stress로 100-200Mpa 가능
6. Air Zero Packing
Poly Si
Deposition : 4인치 가능
7. 일반적 Silicon Nitride by LPCVD 과 PECVD 막의 Property 비교표
(아래의 표 내용은 일반적인 내용입니다.)
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Property
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HT_CVD-NP
900℃
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PE_CVD-LP
300℃
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Composition
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Si3N4
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SixNyHz
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Si / N ratio
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0.75
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0.8 - 1.0
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Density
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2.8-3.1g/cm3
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2.5-2.8 g/cm3
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Refractive
Index
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2.0 - 2.1
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2.0 - 2.1
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Dielectric
constant
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6 - 7
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6 - 9
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Dielectric
strength
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1 x 10E7 V/cm
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6 x 10E6 V/cm
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Bulk
resistivity
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10E15 - 10E17
ohms/square
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10E15
ohms/square
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Surface
resistivity
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>10E13
ohms/square
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1 x 10E13
ohms/square
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Stress at 23℃ on Si
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1.2 -
1.8x10E10 dyne/cm2
(tensile)
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1 - 8x10E9
dyne/cm2
( Compressive)
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Thermal expansion
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4x10E-6 /℃
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>4<7x10E-6/℃
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Color,transmitted
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None
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Yellow
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Step coverage
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Fair
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Conformal
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H2O permeability
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Zero
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Low-none
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Thermal
stability
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Excellent
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Variable>400℃
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Solution etch
rate
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HFB (20-25℃)
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10 -15Å/min
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200 - 300Å/min
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49% HF (23℃)
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80Å/min
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1,500 - 3,000Å/min
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85% H3PO4 (155℃)
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15Å/min
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100 - 200Å/min
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85%H3PO4 (180℃)
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120Å/min
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600 - 1,000Å/min
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Plasma etch
rate |
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70% CF4 / 30%O2, 150w,100℃
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200Å/min
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500Å/min
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Na+
penetration
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<100Å
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<100Å
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Na+ retained
in top 100Å
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>99%
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>99%
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IR absorption |
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Si-N max
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~ 870 cm-1
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~ 830 cm-1
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Si-H minor
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-
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-1
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일반적으로,LPCVD silicon nitride는 대개 700-800℃사이의
온도에서
dichlorosilane(SiCl2H2) 와 ammonia(NH3)의 반응에의해 형성됩니다.
반응식은 다음과 같습니다.
3SiCl2h2 (gas)
+ 4NH3 (gas) => Si3N4 (solid) + 6HCl (gas) + 6H2 (gas)
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