1.  Si wafer Spec 확정시 고려하셔야 할 내용

1.  Size : 2” , 3” , 4” ,5” ,6” ,8” ,12” 및 Dicing공정 추가로 원하시는 Square type size로 작업 가능
2.  Type/Dopant : Undopped Type ( 고저항 Wafer) ,
                             P타입 ( Boron Dopant) ,
                             N 타입 (Phos ,Antimony , Arsenic Dopant)
3.  Orientation : <100>,<110>,<111>
4.  Resitivity : <0.005ohm.cm의 저저항 wafers  (High Dopped) ,
                   1-100ohm.cm 의 Normal wafer
                   >1,000 ohm.cm 의 고 저항 wafers
     Undopped wafers 등 고객 원하시는 저항값으로 근사치 접근 가능
5.  Thickness

      *CMP 추가 공정을 하여 두께 >50um이상부터 원하시는 Thcikness로 공급 가능

6.  TTV ( Total Thickness Variation ) : <15um 이지만, CMP공정 추가로 최소 2um까지 공정 가능
7.  Surface Finished: Single Side Polished , Double Side Polished
8.  Grade : Dummy , Test , Prime

2.  Si wafer를 이용하여 할 수 있는 공정

-   Thermal Oxidation으로 SiO2 Growing된 Wafers ( SiO2 Thickness : 500A~3um)
-   DC/ RF Sputter , e_beam Evaporation Process로 Metal Deposition Process
-   PECVD를 이용한 SiO2 , Si3N4 (~1,000A) 증착
-   LPCVD를 이용한 Si3N4 ( Low Stress 이용 )
-   CMP를 이용한 Thickness조정 (>100um)
-   Dicing을 이용한 Size 조절 가능
-   Patterning Process 및 Glass나 Quartz와의 Bonding Process
-   Hole 제작 가능
-   Deep Si Etching / KOH Wet Etching 을 통한 Patterning 관통 혹 Si 자제 Etching 가능
-   SOI (Silicon On Insulator ) , SOG ( Silicon On Glass) , SOQ ( Silicon On Quartz) 제작 가능

3.  Silicon Wafer 제조 과정

Wafer_process.pdf

4.  Silicon Wafer Spec상에 자주 나오는 용어 정리

5.  국제 SEMISTANDARD Spec

Cf> 6” JEIDA Spec Primary Flat Length = 47.5mm
      8” Notch Type Notch Depth = 1mm
Angle= 900
Orientation Notch Axis = <110>±20

6.  Si특성값보기

Silicon is commonly used as substrate material for infrared reflectors and windows in the 1.5 - 8 micron region.

The strong absorption band at 9 microns makes it unsuitable for CO2 laser transmission applications,
but it is frequently used for laser mirrors because of its high thermal conductivity and low density.

Silicon is also useful as a transmitter in the 20 micron range.

Maximum available size: 102 mm Dia x 50 mm Thk.

Main Properties

Refractive Index