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Metal Deposition
1. Deposition 방식 : DC/RF Sputtering , e_beam evaporation
2. Uniformity : 4" 기준 : Sputtering (3%이내) , Evaporation (5%이내)
6" 기준 : Sputtering (7%이내) ,
Evaporation (10%이내)
3. 사용 가능 Wafer Size :
2" ~ 12" (Squre piece type : 150mm*150mm까지)
4. Delivery : 1주일이내 (협의 후 조정 가능)
5. 가능 Metal 종류 :
4" &
5" & 6" &
8” & 12” : Pt , Au , Ni , Cu , Ni+Cr , 1%Si+Al , W , Cr , Ti , Si , Ag, Ta, Al, TiO2 , ITO, IZO, SiO2, TiN, TaN, Mo+1%W기타 Buffer layer를 이용한 Multi layer가능
370mm*470mm Glass 증착 가능 Metal
Metal종류 : Pure Al , Cu , Ni ,
Ti , Si , Cr , W , Au , Pt , Ag , Sn ,SUS
기 타 : Al203 , ITO , IZO , TiO2 , SiO2 , ZrO2 , TiN , TiC ,TiAlN , CrN
6. Process Flow Chart
Wafer appearance check => Clean before process =>
Metal Deposition => Taping Test =>
Air Zero Packing (모든 공정은 Class10이하 , 0.3um에서 수행)
7. 장비 보기
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[DC /RF Sputter]
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특수 주문 제작 /A Tech Co. (Korea)
Source : DC 1kW (4Set) , RF 0.6kW (1 Set)
Deposition Temp : 800C max.
Main pressure : 5 X 10-7torr
Chamber : Main & Loadlock
Control type : PLC (Computer&Monitor)
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[Spin Coater]
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Speed in RPM : 100-6,000 rpm
Material : All teflon
감광액 도포장비,박막(<1um)
gnakr(>50um)
형성 가능,두께는 결정 감광액의 점도와 감광액에
미치는 원심력과 마찰력이 평행을 이루는 조건에서 결정
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[Thermal Evaporator]
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Source :DC4kW,30mA
Main pressure : 5x10-5torr
Control type : Manual
DC 고전압을 인가하여 고진공에서 Thermal
Evaporation방식으로
선택한 Source를 기화시켜
증발된 원자가 상대적으로 저온을 유지하고 있는 기판위에 응축됨으로 박막을 형성
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8. Metal Property
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Metal Material
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Resistivity(Ohm.cm
x 10-4)
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Temperature
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Temperature
Coefficient
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Aluminum
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2.62
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20
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0.0037
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Boron
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1.8 x 10E12
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0
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-
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Chromium
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2.6
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0
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-
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Cobalt
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9.7
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20
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0.0033
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Copper
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1.7241
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20
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0.0039
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Nickel
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6.9
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20
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0.0047
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Platinum
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10.5
|
20
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0.003
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Tantalum
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13.1
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20
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0.0038
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Titanium
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47.8
|
25
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0.008
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Tungsten
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5.48
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20
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0.0045
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Cu Sputtering 후 AFM
측정 자료
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