4”~8” 작업가능 12”는 해외 의뢰

1. Etching 방식 : Wet Etching (lift off) : with temperature control
                         Dry Etching (MICP source) : pre-patterning dependent
2. 이용 가능 Mask CD (Critical Dimension) : >1um
3. Mask Size : 5"*5” , 7”&7” 가능 4. Exposing :  Light source (g,i-line) with CD resolution ≥1um
5. Etching Material : Metal , SiO2

6. 장비 보기

7. Dry Etching Thickness : 500Å ~ 2um
8. Dry Etching Plasma source : MICP
9. Gas : Cl2 ,BCl3 , SF6 , CF4 , N2, O2, Ar, He

10. 각 Solid별 Etch gas 종류

Solid	Etch Gas	Etch Product
Si , SiO2 , Si3N4	CF4 , SF6 , NF3	SiF4
Si	Cl2 , CCl2F2	SiCl2 , SiCl4
Al	BCl3 , CCl4 , SiCl4 , Cl2	AlCl3 , Al2Cl6
Organic Solids	O2	CO , CO2 , H2O
	O2 + CF4	CO , CO2 , HF
Refractory Metal (W,Ta,Mo)	CF4	WF6.....

           Patterning Process

Patterning 작업 의뢰서 준비 사항

1. Process Flow Chart (파워 포인트 또는 워드 프로그램)
2. 패터닝 마스크 ( 크롬, 필름, 세도우 마스크 ) -> 작업 의뢰 가능
3. 증착 Metal 종류 및 Thickness

Patterning Process 시 작업 가능한 CD 선택 폭 : >1um 이상
Deep Si Etching 및 Glass Etching 가능

Patterning Process 작업 경험

한국과학기술원 Si Wafer KOH Wet Etching – 4인치 Thickness 550um 관통
성균관대학교 신소재 공학과 Si Deep Etching Patterning 및 Ti / Cu Sputtering 증착 Patterning Process
한국과학기술원  기계공학과 Cu 기판 위에 Cr /Au 증착 후 Patterning Process 수행
㈜ SAMSUNG ITO Patterning Process
연세대학교 기계공학과 Deep Si Etching Patterning Process
㈜유일 재료 기술 Cu Patterning Process
㈜ 우진 Si Wafers Deep Si Etching Process
한국기계연구원 ITO Patterning 외 다수

 
<110> Wet Etching 모양 확대 모양

 
<110> Wet Etching 전체 모양