SOI 웨이퍼는 표면과 기층부 사이에 절연층을 인위적으로 형성시켜
기층부로부터의 영향을 제거하여 절연체 위에 형성된 고순도 실리콘층의
가공, 효율 및 특성을 대폭 향상시킨 웨이퍼입니다.

SOI 웨이퍼는 절연체(열산화막)로 차단된 얇은 무결점 실리콘층을 제공하기 때문에
절연벽이나 웰(Well)형성 공정 등을 줄일 수 있어
반도체 업체는 제품 개발 및 생산기간과 비용을 줄일 수 있고
또한 현재의 장비를 그대로 사용하거나 오히려 줄일 수 있어 설비투자에 대한 부담이 없습니다.
따라서 SOI 웨이퍼의 가격이 기존 실리콘 웨이퍼에 비해 다소 비싸더라도
전체적인 생산비용이 줄어들기 때문에 오히려 이익을 얻을 수 있습니다.

현재는 SOI 웨이퍼나 이를 사용한 반도체 제품 모두 초기 단계이며
군수용 및 항공 우주산업의 고성능 마이크로프로세서, 초고집적 메모리나 절전 효율을 요구하는
휴대통신부문 등을 중심으로 수요가 확대되고 있습니다.

이러한 SOI 기술은 센서 및 바이오칩을 생산함에 있어 아래와 같은 중요한 특징을 가지고 있습니다.

very low stressed structures made of single crystal silicon
high signal to noise ratio
high resonant Q factor
strong resistance to mechanical fatigue
thick structures with very high aspect ratio
connection of the active layer to the bulk of the substrate
surface stability compared to polymer for biochip
transparent substrate for display

Application : MEMS, Optical, Power Devices , Switches, Semiconductor 등
Dia : 3” , 4” , 5” , 6” ,8” Boned, SIMOX, SIMBOND등 다양한 종류의 SOI Wafers
Device (Top Si wafers) Thickness : 수백 Å ~ 수백
Box Thickness : 1,000~3um
Base Thickness : >100um 이상 , P또는 N타입
웨이퍼 타입 : P 또는 N 타입
웨이퍼 Orientation : <100>,<110>,<111>
웨이퍼 Res. : Standard 1-100ohm..cm , 저저항 웨이퍼 , 고저항 웨이퍼

 SOI Wafer로 가능한 공정

 SOI 기판 이외에도 절연층과 단결정 실리콘의 여러층으로 교대적층되어 있는
Double SOI, SOI with cavities, Silicon-On-Glass, Silicon-On-Silicon 등의 특수한 제품들도 생산하고 있다.
두꺼운 SOI 기판은 MEMS 산업에 쓰일 뿐 아니라 high power devices 및 RF components에도 널리 사용되고 있다.

SOG Wafer로 가능한 공정